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• Abscheidung Phosphordotierter SiO 2 -Schichten zur Passivierung von optoelektronisch-integrierten Empfängern Riemenschneider, Rolf Als Ms. gedr., Düsseldorf : VDI-Verl., 1996

• AlGaInAs-InP-Molekularstrahlepitaxie für Metall-Halbleiter-Metall-Photodetektoren und -Modulatoren Kummetz, Thomas Als Ms. gedr., Düsseldorf : VDI-Verl., 1996

• Indiumphosphid-Strukturen aus der metallorganischen Gasphasenepitaxie für optoelektronische Bauelemente Zwinge, Johannes Gregor Als Ms. gedr., Düsseldorf : VDI-Verl., 1994

• Optimierung von III-V-Halbleitern auf Si für einen optoelektronischen Empfänger Bartels, Arne Als Ms. gedr., Düseldorf : VDI-Verl., 1996

• Optoelektronische Bauelemente aus organischen Halbleitern Rompf, Christoph Als Ms. gedr., Düsseldorf : VDI-Verl., 1996

• Wellenausbreitung in komplexen integriert optischen Grundwellentransformatoren auf der Basis von Indium-Phosphid Kunz, Albrecht Als Ms. gedr., Düsseldorf : VDI-Verl., 1995